６月１３日，９名由美国能源部（ＤＯＥ）和美国国家核安全管理局资助的青年研究员荣获“美国总统奖”。毕业于我校光电子工程系的校友蔡巍博士获得这一荣誉。

“美国总统奖”是美国政府授予进行独立研究的青年科学家和工程师的最高荣誉。目前一共有８个参选机构，每个机构都有自己的“青年科学家奖”奖项，每年的“美国总统奖”获奖者，就从这８个机构的获奖者中再次评选产生。２００５年，８个机构共评选出５８位青年科学家和工程师获得总统奖，每位获奖者都将得到一份嘉奖，其中包括一枚勋章以及之后５年的资助承诺。

目前仅２７岁的蔡巍１９９５年在我校光电子工程系获得学士学位，２００１年在麻省理工学院获得博士学位。２００４年，他应聘到美国斯坦福大学任助理教授。

蔡巍凭借研究成果“通过仿真材料微观缺陷的相互作用，预测在不同环境下材料的性质”荣获“美国总统奖”。他的主要研究方向是通过理论分析和仿真试验预测常规和极端环境下的材料强度。美国劳伦斯国家实验室主任米歇尔·阿纳斯塔西奥评价说，蔡巍的这套仿真预估理论已经可以统一今后许多年有关位错物理学和晶体塑性力学的计算学科。

据悉，自１９９７年设立此奖项后到２００４年，大陆一共有１６人获奖，２００５年大陆留美学者仅蔡巍一人获奖。